三星QLC NAND延后供应
三星电子多年来是全球最大的DRAM供应商，也是最大的NAND供应商，然而近两年来的发展并不太顺利。
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三星在闪存方面遇到了麻烦第九代 QLC NAND 的发布被推迟到 2026 年
随着人工智能基础设施的扩展，对大容量数据存储的需求持续增长。这反过来又提高了对新代 NAND 闪存开发的兴趣。然而，正如 ZDNet 报道的那样，作为关键 NAND 芯片供应商之一的 Samsung，在商业化其高容量 NAND 第九代（V9）闪存时遇到了困难，
因性能问题，消息称三星V9 QLC NAND闪存商用延至2026上半年
科技媒体 ZDNet Korea 昨日（9 月 16 日）发布博文，报道称三星电子在第九代（V9）高容量 QLC NAND 商用化上遇到阻碍，导致大规模商用计划推迟至 2026 年上半年。
三星V9 QLC NAND商业化受阻
三星电子在推进V9 QLC NAND Flash商业化过程中，遭遇了严重的技术瓶颈。
供应紧张推动NAND涨价
全球存储市场现新一波涨价潮，特别是HDD供应紧张，促使QLC NAND及TLC NAND需求快速上升。
因性能问题 三星将V9 QLC NAND闪存量产推迟至2026年上半年
三星V9 NAND采用280层设计，原先先推出了1TB的TLC版（三级单元），在2024年4月量产，随后于去年9月初步转向更复杂的QLC版（四级单元）。但业内消息称，首批V9 QLC芯片暴露出根本性设计缺陷，导致性能受限。
晶存旗下妙存科技发布重磅新品 QLC NAND UFS 2.2 存储器
在智能终端不断追求高性能与大容量的今天，QLC NAND UFS 存储器正成为行业关注的焦点。相比传统 TLC 架构，QLC 具备更高的存储密度与更高性价比，但同时也对存储控制器与固件提出了更高的要求。