qlcnand科幻影视

三星QLC NAND延后供应

三星电子多年来是全球最大的DRAM供应商，也是最大的NAND供应商，然而近两年来的发展并不太顺利。

随着人工智能基础设施的扩展，对大容量数据存储的需求持续增长。这反过来又提高了对新代 NAND 闪存开发的兴趣。然而，正如 ZDNet 报道的那样，作为关键 NAND 芯片供应商之一的 Samsung，在商业化其高容量 NAND 第九代（V9）闪存时遇到了困难，

科技媒体 ZDNet Korea 昨日（9 月 16 日）发布博文，报道称三星电子在第九代（V9）高容量 QLC NAND 商用化上遇到阻碍，导致大规模商用计划推迟至 2026 年上半年。

三星电子在推进V9 QLC NAND Flash商业化过程中，遭遇了严重的技术瓶颈。

全球存储市场现新一波涨价潮，特别是HDD供应紧张，促使QLC NAND及TLC NAND需求快速上升。

三星V9 NAND采用280层设计，原先先推出了1TB的TLC版（三级单元），在2024年4月量产，随后于去年9月初步转向更复杂的QLC版（四级单元）。但业内消息称，首批V9 QLC芯片暴露出根本性设计缺陷，导致性能受限。

三星 nand v9 qlc qlcnand 2025-09-17 03:51 3

在智能终端不断追求高性能与大容量的今天，QLC NAND UFS 存储器正成为行业关注的焦点。相比传统 TLC 架构，QLC 具备更高的存储密度与更高性价比，但同时也对存储控制器与固件提出了更高的要求。

2025年8月25日，韩国半导体巨头SK海力士宣布，该公司现已成功完成321层2Tb（太字节）QLC NAND闪存的研发，并正式启动量产。这一里程碑式成果标志着全球首次在QLC闪存技术中实现300层以上的3D堆叠，创下闪存存储密度的新纪录。

这款全新的2Tb存储器件将现有解决方案的容量提升一倍，增强了SK海力士在内存市场的竞争力。该产品预计将于明年上半年正式推出。

为解决大容量NAND可能出现的性能下降问题，公司还将芯片内独立操作单元（平面）的数量从4个增加到6个，从而实现更大的并行处理能力，明显提升了同时读取性能。

SK海力士表示：“在全球范围内率先完成300层以上的QLC NAND闪存开发，再次突破了技术极限。该产品在现有的NAND闪存产品中拥有最高的集成度，经过全球客户公司的验证后，计划于明年上半年正式进入AI数据中心市场。”

据悉，为了最大限度地提高此次产品的成本竞争力，SK海力士将其开发为与现有产品相比容量翻倍的2Tb产品。同时，通过将NAND闪存内部可独立运行的平面（Plane）架构从四平面扩展为六平面，从而提升了并行处理能力，缓解了因大容量导致的性能下降问题。

SK海力士表示：“公司全球率先完成300层以上的QLC NAND闪存开发，再次突破了技术极限。该产品在现有的NAND闪存产品中拥有最高的集成度，经过全球客户公司的验证后，计划于明年上半年正式进入AI数据中心市场。”

SK海力士株式会社（SK hynix Inc.）宣布，已完成321层2Tb QLC NAND闪存产品的开发，并已启动量产。这一成就标志着全球首次采用QLC技术实现超过300层的堆叠，为NAND闪存密度树立了新的行业标杆。该公司计划在完成全球客户验证后，于明年上